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現(xiàn)代系統(tǒng)日益增長的需求已經(jīng)突破了光電隔離技術(shù)的局限性。 例如，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 在總線電壓和電流較大的高功率系統(tǒng)中至關(guān)重要。 IGBT 需要更快地開關(guān)，以減少開關(guān)損耗并降低功耗。

由于信號是單向傳輸，輸入端和輸出端完全電氣隔離，輸出信號對輸入端沒有影響。 因此，光耦抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定、非接觸、使用壽命長、傳輸效率高，廣泛應(yīng)用于電絕緣、電平轉(zhuǎn)換、信號傳輸?shù)葓龊稀?/p>

光耦EL354

光耦合器是一種以光為介質(zhì)傳輸電信號的電-光-電轉(zhuǎn)換器件。 它由兩部分組成：發(fā)光源和受光器。 發(fā)光源和受光器組裝在同一個(gè)密封外殼內(nèi)，通過透明絕緣體相互隔開。 發(fā)光源的引腳為輸入端，受光器的引腳為輸出端，常見的發(fā)光源為發(fā)光二極管，受光器為光電二極管、光電三極管等 上。

當(dāng)輸入信號Vi經(jīng)晶體管BG1和BG2的前級放大后，驅(qū)動光電耦合器左側(cè)的LED發(fā)光，并全部被右側(cè)光敏管吸收，轉(zhuǎn)換為電信號。該信號由后級電路BG3放大，管子經(jīng)過電容C3后，發(fā)射極輸出一個(gè)未失真的放大信號V0

IF不同不同對應(yīng)的CTR也不同，并且數(shù)據(jù)差異還很大，一般情況下在IF=5ma時(shí)，CTR值都應(yīng)該與原有光耦所用區(qū)域CTR值的大體一致，要不然產(chǎn)品動態(tài)性很差，替代時(shí)需要注意選取合適的IF電流，使輸入控制電流的變動都能及時(shí)反饋到輸出端，保證產(chǎn)品反饋環(huán)的穩(wěn)定。

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是，在一些大功率應(yīng)用中，當(dāng)輸出電流從幾A到幾十A時(shí)，上述小功率器件往往無法滿足需求。 因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場效應(yīng)管等電源。 

電子間的關(guān)聯(lián)通常微弱到難以觀測，但某些情況會導(dǎo)致電子出現(xiàn)明顯的異常行為，如超導(dǎo)現(xiàn)象，光耦EL354這是高容量計(jì)算機(jī)存儲器的基礎(chǔ)。科研人員此次通過高靈敏度的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，清晰觀測到了電子間不尋常的運(yùn)動，這對于研究基于超導(dǎo)體等材料的下一代電子器件是重大突破。