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現(xiàn)代系統(tǒng)日益增長的需求已經(jīng)突破了光電隔離技術的局限性。例如，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 在總線電壓和電流較大的高功率系統(tǒng)中至關重要。 IGBT 需要更快地開關，以減少開關損耗并降低功耗。

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是，在一些大功率應用中，當輸出電流從幾A到幾十A時，上述小功率器件往往無法滿足需求。因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場效應管等電源。

高速光耦

晶閘管可以是單向或雙向的，可以通過過零或移相觸發(fā)。固態(tài)繼電器也是如此。因此，它們的用途和形式具有相同類型的產(chǎn)品。從這個角度（使用形式和性質）來看，沒有什么區(qū)別，因為固態(tài)繼電器也是用晶閘管制成的（帶三極管的固態(tài)繼電器除外）。

當輸入信號Vi經(jīng)晶體管BG1和BG2的前級放大后，驅動光電耦合器左側的LED發(fā)光，并全部被右側光敏管吸收，轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大，管子經(jīng)過電容C3后，發(fā)射極輸出一個未失真的放大信號V0

一般的，光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來驅動，甚至會增加電路功耗，再者單片機I/O口也不能提供過大電流，若CTR值過大,在啟動電路或者當負載發(fā)生突變時,有可能系統(tǒng)不穩(wěn)定,影響正常輸出

該設備充當開關元件。同時，由于上述光耦優(yōu)異的隔離性能和輸出功能，被廣泛應用于大功率固態(tài)繼電器中作為隔離驅動器件。可采用普通晶體管輸出光耦和交流輸入光耦來滿足固態(tài)繼電器對直流和交流輸入控制的需要。

高速光耦為提高光控晶閘管觸發(fā)靈敏度,門極區(qū)常采用放大門極結構或雙重放大門極結構。為滿足高的重加電壓上升率,常采用陰極發(fā)射極短路結構。

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